• 产品与工艺特点:


    第一、设计方面:
    1、基于TFIPD技术的宽带内匹配芯片设计
    2、基于功率分配技术实现大功率器件设计
    3、基于J类分布式架构的超宽带高性能芯片设计


    第二、工艺方面:
    1、基于多层氮化硅钝化的栅氧工艺
    2、晶体管智能结温监测工艺
    3、应用于HEMT异构集成的TFIPD工艺


    第三、封装方面:
    1、新型铜带键合封装工艺
    2、内置输入输出电路的内匹配工艺
    3、功放芯片一体化封装设备全套解决方案

产品 

  Product  

说明:以上仅为公司部分代表性产品,GaN裸管芯、GaN未匹配功率管、GaN匹配功率管、GaN MMIC管芯、GaN 固态射频能量源等具体信息,请通过sales@waferchip.com进行咨询。