我司总经理王琮博士受邀参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛及南华大学、山东大学技术交流会

5月5日至5月6日，我司总经理王琮博士受邀参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛，并以《GaN 基宽带高效功率放大器的进展与展望》为主题发表演讲。

会议主要围绕“碳化硅衬底、氮化镓外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”等主题，邀请了产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入探讨。

会议交流期间，我司总经理王琮博士就GaN 基宽带高效功率放大器的进展与展望同参会专家进行了详细展示与分享。

5月7日，我司总经理王琮博士受邀参加南华大学技术交流会。

技术交流会期间，我司总经理王琮博士讲解了化合物半导体砷化镓无源/砷化镓以及氮化镓有源射频、微波、毫米波器件等相关内容，提出了若干具有持续发展潜能的新颖研究方向。其中重点针对我司目前大力推广的高频、超宽带射频功率放大器MMIC芯片设计技术、砷化镓基微波无源集成电路TFIPD技术、氮化镓射频微波功放芯片结温集成技术进行了详尽阐述。

报告结束后，南华大学众多师生针对王琮博士在技术交流会中提及的技术难点进行了探讨与交流。王琮博士针对所有问题进行详细、系统的回答，并着重讲解了目前我司成果转化和产业化的过程，传授了学术成果产品化的经验。

与此同时，针对南华大学提出的单管功放芯片的需求，双方拟定近期针对我司功率管裸管芯、外匹配封装功率管等产品进行采购及性能验证，建立更加紧密的产学研合作关系。

5月9日下午，我司总经理王琮博士受邀参加山东大学技术交流会。

交流会期间，我司总经理王琮博士针对我司当前研发制备的氮化镓射频微波芯片产品及未来技术发展路线等内容进行汇报，探讨未来深度和山东大学绑定合作事宜。山东大学介绍了其目前在第三代半导体领域的基本情况及项目申报方向，洽谈后续联合申报项目的方向及方式。